关于CMOS工艺的介绍:
1. 概况:是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的,表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS集成电路。
2. 优势:具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等优点,目前已成为当前大规模集成电路的主流工艺技术。
3. 工艺:电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块反型区域,该区域被称为“阱”,N阱CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获得广泛的应用。
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